Висока вихідна потужність і деталізація звучання в досить невеликому корпусі. Ідеальний для побудови багатокомпонентних систем. Широкий смуговий фільтр з незалежним регулюванням верхній і ніжніше кордонів. Висока якість звучання. Розширений частотний діапазон. MOSFET транзистори.
Технічні характеристики
Клас: D
Номінальна вихідна потужність (4 Ом), Вт: 8х120
Номінальна вихідна потужність (2 Ом), Вт: 8х160
Номінальна вихідна потужність у мостовому включенні (4 Ом), Вт: 4х320
Діапазон частот(-3дБ), Гц, не вужче: 10-50000
Коефіцієнт гармонійних спотворень, %, не більше: 0,05
Розподіл каналів, дБ, не менше: 60
Вхідна чутливість, В: 0,2 – 6
Зважене відношення сигнал/шум (МЕК А), дБ, не менше: 100
Межі регулювання ФНЧ (12 дБ/окт), Гц: 10-8000
Межі регулювання ФВЧ (12 дБ/окт), Гц: 10-8000
Межі регулювання меж смугового фільтра (12 дБ/окт), Гц: 10-8000
Розміри, мм: 390 × 260 × 51
Загальні параметри
- Кількість каналів:
8-ми канальний
- Клас підсилювача:
D
- Потужність RMS 4 Ом (14.4 В):
120
- Потужність RMS 2 Ом (14.4 В):
160